Мой регион: Россия

MMF60R190PTH, Super Junct MOSFET N-CH 6

PartNumber: MMF60R190PTH
Ном. номер: 8000005676
Производитель: MagnaChip Semiconductor
MMF60R190PTH, Super Junct MOSFET N-CH 6
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
260 руб.
65 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 25 шт. — 210 руб.
от 50 шт. — 174 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 1 300 руб.
Super Junction (SJ) MOSFET
These MOSFET use MagnaChip's Super Junction technology to provide low on-resistance and gate charge. They are highly efficient through the use of optimised charge coupling technology.

Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
20 A
Тип корпуса
TO-220F
Максимальное рассеяние мощности
34 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.93мм
Высота
16.13мм
Размеры
10.71 x 4.93 x 16.13мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.71мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
32 нс
Производитель
MagnaChip
Типичное время задержки выключения
146 нс
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Максимальное сопротивление сток-исток
190 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
51 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
1630 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 V, +30 V
Прямое напряжение диода
1.4V

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.