Мой регион: Россия

MMIX1Y100N120C3H1, SMPD XPT IGBT GenX3 singl

PartNumber: MMIX1Y100N120C3H1
Ном. номер: 8000005715
Производитель: Ixys Corporation
MMIX1Y100N120C3H1, SMPD XPT IGBT GenX3 singl
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
3 650 руб.
30 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 10 шт. — 3 070 руб.
от 20 шт. — 2 920 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 3 650 руб.
IGBT Discretes, IXYS XPT series
The XPT™ range of discrete IGBTs from IXYS feature Extreme-light Punch-Through thin wafer technology, resulting in reduced thermal resistance and lower energy losses. These devices offer fast switching times with low tail current, and are available in a variety of industry standard and proprietary packages.

Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
25.25мм
Transistor Configuration
Одиночный
Производитель
IXYS
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальный непрерывный ток коллектора
92 A
Тип корпуса
SMPD
Максимальное рассеяние мощности
400 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Ширина
23.25мм
Высота
5.7мм
Число контактов
24
Размеры
25.25 x 23.25 x 5.7мм
Скорость переключения
20 → 50кГц
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±30V
Тип канала
N
Емкость затвора
6000пФ

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.