Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › Diodes › MMST2222A-7-F, Транзистор: NPN

MMST2222A-7-F, Транзистор: NPN

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

15 руб.

Кратность заказа 20 шт.

от 200 шт. — 10 руб.

от 600 шт. — 7.90 руб.

от 3000 шт. — 7.04 руб.

Добавить в корзину 20 шт. на сумму 300 руб.

Номенклатурный номер: 8017550995

Артикул: MMST2222A-7-F

Бренд: DIODES INC.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT 40V 200mW

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности	200 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1 mm
Длина	2.2 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	300
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	0.6 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	75 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	40 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Непрерывный коллекторный ток	0.6 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	300 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	MMST22
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка / блок	SOT-323-3
Ширина	1.35 mm
Base Product Number	MMST2222 ->
Current - Collector (Ic) (Max)	600mA
Current - Collector Cutoff (Max)	10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 150mA, 10V
ECCN	EAR99
Frequency - Transition	300MHz
HTSUS	8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case	SC-70, SOT-323
Power - Max	200mW
REACH Status	REACH Unaffected
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Supplier Device Package	SOT-323
Transistor Type	NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	40V
Вес, г	1