MMUN2113LT1G, Транзистор PNP -50В -100мА 400мВт [SOT-23-3]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
10 руб.
от 100 шт. —
5.40 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 10 руб.
Описание
Resistor-equipped bipolar transistors, also known as “Digital Transistors” or “Bias Resistor Transistors”, incorporating one or two integrated resistors.
Технические параметры
Структура | pnp с 2 резисторами | |
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 50 | |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 50 | |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 | |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 80 | |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.246 | |
Корпус | sot-23 | |
Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают