MMUN2233LT1G, Транзистор: NPN, биполярный, BRT, 50В, 0,1А, 246мВт, SOT23, R2: 47кОм
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6 руб.
Кратность заказа 20 шт.
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 120 руб.
Описание
Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 4.7 кОм+47 кОм
Технические параметры
Brand: | onsemi |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 50 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current: | 0.1 A |
DC Collector/Base Gain hFE Min: | 80, 200 |
DC Current Gain hFE Max: | 80 |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Manufacturer: | onsemi |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package/Case: | SOT-23-3 |
Pd - Power Dissipation: | 246 mW |
Peak DC Collector Current: | 100 mA |
Product Category: | Bipolar Transistors-Pre-Biased |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased |
Series: | MMUN2233L |
Subcategory: | Transistors |
Transistor Polarity: | NPN |
Typical Input Resistor: | 4.7 kOhms |
Typical Resistor Ratio: | 0.1 |
Вес, г | 0.008 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов