MMUN2233LT1G, Транзистор: NPN, биполярный, BRT, 50В, 0,1А, 246мВт, SOT23, R2: 47кОм

Фото 1/2 MMUN2233LT1G, Транзистор: NPN, биполярный, BRT, 50В, 0,1А, 246мВт, SOT23, R2: 47кОм
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
6 руб.
Кратность заказа 20 шт.
Добавить в корзину 20 шт. на сумму 120 руб.
Номенклатурный номер: 8021345115
Артикул: MMUN2233LT1G

Описание

Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 4.7 кОм+47 кОм

Технические параметры

Brand: onsemi
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 50 V
Configuration: Single
Continuous Collector Current: 0.1 A
DC Collector/Base Gain hFE Min: 80, 200
DC Current Gain hFE Max: 80
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 3000
Manufacturer: onsemi
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Package/Case: SOT-23-3
Pd - Power Dissipation: 246 mW
Peak DC Collector Current: 100 mA
Product Category: Bipolar Transistors-Pre-Biased
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased
Series: MMUN2233L
Subcategory: Transistors
Transistor Polarity: NPN
Typical Input Resistor: 4.7 kOhms
Typical Resistor Ratio: 0.1
Вес, г 0.008

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов