Модуль STGE200NB60S
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
38 шт. со склада г.Москва, срок 2 недели
8 200 руб.
Мин. кол-во для заказа 8 шт.
8 шт.
на сумму 65 600 руб.
Плати частями
от 16 400 руб. × 4 платежа
от 16 400 руб. × 4 платежа
Описание
Отзывы
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 200 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Panel Mount |
| Package Type | ISOTOP |
| Pin Count | 4 |
| Transistor Configuration | Single |
| Вес, г | 10 |
Технические параметры
| Вес, г | 10 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 271 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
