MPSA05RA, 100nA 60V 625mW 100@10mA,1V 500mA 100MHz NPN 250mV@100mA,10mA -55°C~+150°C@(Tj) TO-92-3 BIpolar TransIstors - BJT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
110 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
66 руб.
от 150 шт. —
58 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 550 руб.
Описание
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs.
Технические параметры
Maximum Collector Base Voltage | 60 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 60 V |
Maximum DC Collector Current | 500 mA |
Maximum Emitter Base Voltage | 4 V |
Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 625 mW |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-92 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Type | NPN |
Вес, г | 0.25 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet MPSA05RA
pdf, 50 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов