MPSA05RA, 100nA 60V 625mW 100@10mA,1V 500mA 100MHz NPN 250mV@100mA,10mA -55°C~+150°C@(Tj) TO-92-3 BIpolar TransIstors - BJT

Фото 1/2 MPSA05RA, 100nA 60V 625mW 100@10mA,1V 500mA 100MHz NPN 250mV@100mA,10mA -55°C~+150°C@(Tj) TO-92-3 BIpolar TransIstors - BJT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
110 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт.66 руб.
от 150 шт.58 руб.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 550 руб.
Номенклатурный номер: 8017646711
Артикул: MPSA05RA

Описание

Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs.

Технические параметры

Maximum Collector Base Voltage 60 V
Maximum Collector Emitter Voltage 60 V
Maximum DC Collector Current 500 mA
Maximum Emitter Base Voltage 4 V
Maximum Operating Frequency 100 MHz
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 625 mW
Mounting Type Through Hole
Number of Elements per Chip 1
Package Type TO-92
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Transistor Type NPN
Вес, г 0.25

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet MPSA05RA
pdf, 50 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов