MSC2712GT1G, MSC2712GT1G NPN Digital Transistor, 100 mA, 50 V, 3-Pin SC-59
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
60 руб.
Кратность заказа 50 шт.
от 1000 шт. —
50 руб.
Добавить в корзину 50 шт.
на сумму 3 000 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Bipolar Transistors
The NPN Bipolar Transistor is designed for use in linear and switching applications. The device is housed in the SC-59 package, which is designed for lower power surface mount applications.
Технические параметры
| Maximum Collector Emitter Voltage | 50 V |
| Maximum DC Collector Current | 100 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 7 V dc |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 200 mW |
| Minimum DC Current Gain | 200 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SC-59 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Type | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW (1/5 W) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1.09 mm |
| Длина | 2.9 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.1 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 50 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | MSC2712GT1 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SC-59-3 |
| Ширина | 1.5 mm |
| Collector Emitter Voltage Max | 50В |
| Continuous Collector Current | 100мА |
| DC Current Gain hFE Min | 200hFE |
| DC Усиление Тока hFE | 200hFE |
| Power Dissipation | 200мВт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Стиль Корпуса Транзистора | SC-59 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Частота Перехода ft | 50МГц |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet MSC2712GT1G
pdf, 57 КБ
Datasheet MSC2712GT1G
pdf, 59 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
