MT25QL01GBBB8E12-0SIT, Флеш память, Последовательная NOR, 1 Гбит, 128M x 8bit, SPI, TBGA, 24 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5 170 руб.
от 10 шт. —
4 660 руб.
от 25 шт. —
4 380 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 5 170 руб.
Описание
Полупроводники - Микросхемы\Память\FLASH
• Voltage range from 2.7 to 3.6V, 1Gb (128MB) density
• 2 die/1 S# stack, 64KB sectors, 4KB and 32KB sub-sectors size
• Stacked device (two 512Mb die), SPI-compatible serial bus interface
• Dual/quad I/O commands for increased throughput up to 90MB/s
• Extended I/O protocol, dual I/O protocol, quad I/O protocol
• Execute-in-place (XIP), PROGRAM/ERASE SUSPEND operations
• Volatile and non-volatile configuration settings, software reset
• Additional reset pin for selected part numbers
• 3byte and 4byte address modes enable memory access beyond 128Mb
• 24-ball T-PBGA package, industrial operating temperature range from -40 to +85°C
Технические параметры
| IC Case / Package | TBGA |
| Interfaces | SPI |
| Memory Configuration | 128M x 8bit |
| Количество Выводов | 24вывод(-ов) |
| Конфигурация Флэш-памяти | 128М x 8бит |
| Линейка Продукции | 3V Serial NOR Flash Memories |
| Максимальная Рабочая Температура | 85°C |
| Максимальная Тактовая Частота | 133МГц |
| Максимальное Напряжение Питания | 3.6В |
| Минимальная Рабочая Температура | -40°C |
| Минимальное Напряжение Питания | 2.7В |
| Монтаж Микросхемы | SMD(Поверхностный Монтаж) |
| Номинальное Напряжение Питания | 3В |
| Плотность Памяти | 1Гбит |
| Размер Памяти | 1Гбит |
| Стиль Корпуса Микросхемы Памяти | TBGA |
| Тактовая Частота | 133МГц |
| Тип Flash Памяти | Последовательная NOR |
| Тип Интерфейса ИС | SPI |
| Вес, г | 4.54 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1231 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем
