MUN5233DW1T1G, Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 4.7 кОм+47 кОм

Фото 1/4 MUN5233DW1T1G, Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 4.7 кОм+47 кОм
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
7 руб.
Мин. кол-во для заказа 67 шт.
от 336 шт.6 руб.
от 671 шт.4.30 руб.
от 1341 шт.3.70 руб.
Добавить в корзину 67 шт. на сумму 469 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8009848865
Артикул: MUN5233DW1T1G

Описание

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Сборки цифровых транзисторов
Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 4.7 кОм+47 кОм

Технические параметры

Корпус SC-88/SC70-6/SOT-363
EU RoHS Compliant
ECCN (US) EAR99
Part Status Active
HTS 8541.21.00.95
Type NPN
Configuration Dual
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 50
Maximum Continuous DC Collector Current (mA) 100
Minimum DC Current Gain 80@5mA@10V
Typical Input Resistor (kOhm) 4.7
Typical Resistor Ratio 0.1
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 0.25@1mA@10mA
Maximum Power Dissipation (mW) 385
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Packaging Tape and Reel
Automotive No
Pin Count 6
Supplier Package SC-88
Standard Package Name SC
Military No
Mounting Surface Mount
Package Height 0.9
Package Length 2
Package Width 1.25
PCB changed 6
Lead Shape Gull-wing
Brand ON Semiconductor
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 50 V
Continuous Collector Current 0.1 A
DC Collector/Base Gain hfe Min 80 at 5 mA at 10 V
DC Current Gain hFE Max 80 at 5 mA at 10 V
Factory Pack Quantity 3000
Height 0.9 mm
Length 2 mm
Manufacturer ON Semiconductor
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style SMD/SMT
Package / Case SOT-363-6
Pd - Power Dissipation 187 mW
Peak DC Collector Current 100 mA
Product Category Bipolar Transistors-Pre-Biased
RoHS Details
Series MUN5233DW1
Transistor Polarity NPN
Typical Input Resistor 4.7 kOhms
Unit Weight 0.000265 oz
Width 1.25 mm
Collector Emitter Voltage Max NPN 50В
DC Current Gain hFE Min 80hFE
Power Dissipation 385мВт
Количество Выводов 6 Выводов
Корпус РЧ Транзистора SOT-363
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Коллектор-Эмиттер 50В
Непрерывный Коллекторный Ток Ic 100мА
Полярность Транзистора Двойной NPN
Полярность Цифрового Транзистора Двойной NPN
Резистор База-эмиттер R2 47кОм
Резистор На входе Базы R1 4.7кОм
Соотношение Сопротивления, R1 / R2 0.1соотношение
Стиль Корпуса Транзистора SOT-363
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Maximum Collector Base Voltage 50 V
Maximum Collector Emitter Voltage 50 V
Maximum DC Collector Current 100 mA
Maximum Power Dissipation 250 mW
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 2
Package Type SOT-363
Transistor Type NPN
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet MUN5233DW1T1G
pdf, 114 КБ
Datasheet MUN5233DW1T1G
pdf, 140 КБ
Datasheet SMUN5233DW1T1G
pdf, 151 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов