Главная › Электронные компоненты › Диоды › Быстродействующие › ON Semiconductor › MUR8100EG, Диод Ultrafast 1000В 8А [TO-220AC]

MUR8100EG, Диод Ultrafast 1000В 8А [TO-220AC]

* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

160 руб.

от 15 шт. — 131 руб.

от 150 шт. — 120 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 160 руб.

В кредит от 0 руб./мес

Номенклатурный номер: 9000015428

Артикул: MUR8100EG

Страна происхождения: КИТАЙ

Бренд / Производитель: ON Semiconductor***

Описание

DIODE, ULTRAFAST, 8A, 1000V; Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:1kV; Forward Current If(AV):8A; Diode Configuration:Single; Forward Voltage VF Max:1.8V; Reverse Recovery Time trr Max:75ns; Forward Surge Current Ifsm Max:100A; Operating Temperature Max:175°C; Diode Case Style:TO-220AC; No. of Pins:2 Pin; Product Range:MUR81 Series; Automotive Qualification Standard:-; SVHC:Lead (27-Jun-2018); Current Ifsm:100A; Device Marking:MUR8100E; Diode Type:Fast Recovery; Forward Current If Max:8A; Forward Voltage:1.8V; Junction Temperature Tj Max:175°C; No. of Pins:2Pins; Operating Temperature Min:-65°C; Operating Temperature Range:-65°C to +175°C; Reverse Recovery Time trr Typ:75ns

Технические параметры

Кол-во диодов в корпусе	1
Конфигурация диода	Одиночный
Максимальное постоянное обратное напряжение, В	1000 В
Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) (А)	8 а
Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If (В)	1.8 В при 8 А
Время обратного восстановления, Trr (нс)	100 нс
Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr (мкА)	25 мкА при 1000 В
Рабочая температура PN-прехода (°С)	-65…+175 C
Корпус	TO-220AC/TO-220-2
Вес, г	2.5