NCV5702DR2G, IGBT Driver, Half Bridge, 4A, 20V Max Supply, 59ns/54ns Delay, SOIC-16

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

580 руб.

Мин. кол-во для заказа 5 шт.

от 10 шт. — 500 руб.

от 100 шт. — 401 руб.

Добавить в корзину 5 шт. на сумму 2 900 руб.

Номенклатурный номер: 8001689243

Артикул: NCV5702DR2G

Полупроводники - Микросхемы\Микросхемы Управления Питанием\Драйверы Затворов

Тип входа	Non-Inverting
IC Case / Package	SOIC
Задержка Выхода	54нс
Задержка по Входу	59нс
Количество Выводов	16вывод(-ов)
Количество Каналов	1канал(-ов)
Конфигурация Привода	Полумост
Максимальная Рабочая Температура	125 C
Максимальное Напряжение Питания	20В
Минимальная Рабочая Температура	-40 C
Стиль Корпуса Привода	SOIC
Тип переключателя питания	IGBT
Ток истока	1А
Ток стока	1А
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Brand:	onsemi
Configuration:	Inverting
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	2500
Fall Time:	7.9 ns
Manufacturer:	onsemi
Maximum Operating Temperature:	+125 C
Maximum Turn-Off Delay Time:	75 ns
Maximum Turn-On Delay Time:	75 ns
Minimum Operating Temperature:	-40 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Number of Drivers:	1 Driver
Number of Outputs:	1 Output
Output Current:	4 A
Output Voltage:	5 V
Package / Case:	SOIC-16
Pd - Power Dissipation:	900 mW
Product Category:	Gate Drivers
Product Type:	Gate Drivers
Product:	IGBT, MOSFET Gate Drivers
Propagation Delay - Max:	75 ns
Qualification:	AEC-Q101
Rise Time:	9.2 ns
Shutdown:	Shutdown
Subcategory:	PMIC-Power Management ICs
Supply Voltage - Max:	20 V
Supply Voltage - Min:	0 V
Technology:	Si
Type:	High-Side, Low-Side
Вес, г	3.4