Мой регион: Россия

NDD03N60Z-1G, MOSFET N-Channel 600V 2.6

PartNumber: NDD03N60Z-1G
Ном. номер: 8000003752
Производитель: ON Semiconductor
NDD03N60Z-1G, MOSFET N-Channel 600V 2.6
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
56 руб.
60 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
Кратность заказа 5 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
63 руб. 3-4 недели, 1525 шт. 1 шт. 2 шт.
от 10 шт. — 52.90 руб.
от 25 шт. — 43.70 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
N-Channel Power MOSFET, 100V to 1700V, ON Semiconductor

Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
3 A
Тип корпуса
IPAK (TO-251)
Максимальное рассеяние мощности
78 W
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
2.38мм
Высота
7.62мм
Размеры
6.73 x 2.38 x 7.62мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.73мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
9 нс
Производитель
ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения
16 нс
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Максимальное сопротивление сток-исток
3.6 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
12 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
312 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
+30 В

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.