NDS352AP
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
31 шт. со склада г.Москва, срок 8-11 дней
160 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
110 руб.
от 10 шт. —
83 руб.
от 31 шт. —
68.67 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 320 руб.
Номенклатурный номер: 8002984454
Бренд: Нет торговой марки
Описание
Электроэлемент
FETS - SINGLE; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:900mA; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):0.25ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-1.7V; Power Dissipation
Технические параметры
| Brand | ON Semiconductor/Fairchild |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Fall Time | 17 ns, 16 ns |
| Height | 1.12 mm |
| Id - Continuous Drain Current | -900 mA |
| Length | 2.9 mm |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | SSOT-3 |
| Packaging | Reel |
| Part # Aliases | NDS352AP_NL |
| Pd - Power Dissipation | 500 mW(1/2 W) |
| Product | MOSFET Small Signal |
| Product Category | MOSFET |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 500 mOhms |
| Rise Time | 17 ns, 16 ns |
| RoHS | Details |
| Series | NDS352AP |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | P-Channel |
| Transistor Type | 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 35 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 5 ns, 8 ns |
| Unit Weight | 0.001058 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | -30 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Width | 1.4 mm |
| Вес, г | 0.035 |
Техническая документация
NDS352AP
pdf, 84 КБ
Документация
pdf, 202 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
