NDT3055, МОП-транзистор, N Канал, 4 А, 60 В, 100 мОм, 10 В, 3 В

PartNumber: NDT3055
Ном. номер: 8100810230
Производитель: ON Semiconductor
NDT3055, МОП-транзистор, N Канал, 4 А, 60 В, 100 мОм, 10 В, 3 В
Доступно на заказ 5220 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
52 руб. × = 520 руб.
Количество товаров должно быть кратно 10 шт.
от 100 шт. — 31 руб.
от 500 шт. — 29 руб.

Описание

The NDT3055 is a 60V N-channel enhancement mode Field Effect Transistor produced using high cell density and DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switching performance. This device is particularly suited for low voltage applications such as notebook computer power management and other battery powered circuits where fast switching, low in-line power loss and resistance to transients are needed. This product is general usage and suitable for many different applications.

• High power and current handling capability

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
150°C
Количество Выводов
4вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Стиль Корпуса Транзистора
SOT-223
Рассеиваемая Мощность
3Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
60В
Непрерывный Ток Стока
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.1Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs

Дополнительная информация

Datasheet NDT3055