NDT3055L, МОП-транзистор, N Канал, 4 А, 60 В, 0.07 Ом, 10 В, 1.6 В

PartNumber: NDT3055L
Ном. номер: 8001148667
Производитель: ON Semiconductor
NDT3055L, МОП-транзистор, N Канал, 4 А, 60 В, 0.07 Ом, 10 В, 1.6 В
Доступно на заказ 25840 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
56 руб. × = 560 руб.
Количество товаров должно быть кратно 10 шт.
от 100 шт. — 33 руб.
от 500 шт. — 30 руб.

Описание

The NDT3055L is a N-channel logic level enhancement mould MOSFET using high cell density, DMOS technology. This very high density process has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance and withstand high energy pulses in the avalanche and commutation modes. These devices are particularly suited for low voltage applications such as DC/DC converters, PWM motor controls and other battery powered circuits where fast switching, low in-line power loss and resistance to transients are needed.

• High density cell design for extremely low RDS (ON)
• High power and current handling capability
• Low drive requirements allowing operation directly from logic drivers

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
4вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
SOT-223
Рассеиваемая Мощность
3Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
60В
Непрерывный Ток Стока
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.07Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
1.6В

Дополнительная информация

Datasheet NDT3055L
Datasheet NDT3055L