Мой регион: Россия

NDUL03N150CG, МОП-транзистор, N Канал, 2.5 А, 1.5 кВ, 8 Ом, 10 В

Ном. номер: 8163064321
PartNumber: NDUL03N150CG
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/3 NDUL03N150CG, МОП-транзистор, N Канал, 2.5 А, 1.5 кВ, 8 Ом, 10 В
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 NDUL03N150CG, МОП-транзистор, N Канал, 2.5 А, 1.5 кВ, 8 Ом, 10 ВФото 3/3 NDUL03N150CG, МОП-транзистор, N Канал, 2.5 А, 1.5 кВ, 8 Ом, 10 В
350 руб.
10 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 10 шт. — 190 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
420 руб. 8 дней, 14 шт. 2 шт. 2 шт.
от 10 шт. — 260 руб.
284 руб. 3-4 недели, 100 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 246 руб.
от 100 шт. — 199 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

The NDUL03N150CG is a 1500V N-channel enhancement-mode Power MOSFET with 8R ON-resistance RDS (ON).

• Avalanche guarantee
• High speed switching and Low loss

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
Количество Выводов
Стиль Корпуса Транзистора
Рассеиваемая Мощность
Полярность Транзистора
Напряжение Истока-стока Vds
Непрерывный Ток Стока
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
Напряжение Измерения Rds(on)
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
43.8мм
Transistor Configuration
Одиночный
Brand
ON Semiconductor
Maximum Continuous Drain Current
5 А
Package Type
TO-3PF
Maximum Power Dissipation
50 W
Mounting Type
Монтаж на плату в отверстия
Width
15.5мм
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Height
5.5мм
Maximum Drain Source Resistance
10.5 Ω
Maximum Drain Source Voltage
1500 V
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
34 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Вес, г
7.56

Дополнительная информация

Datasheet NDUL03N150CG
Datasheet NDUL03N150CG

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.