Мой регион: Россия

NGTB25N120FL3WG, IGBT 25A 1200V Ultra Fiel

PartNumber: NGTB25N120FL3WG
Ном. номер: 8000001332
Производитель: ON Semiconductor
NGTB25N120FL3WG, IGBT 25A 1200V Ultra Fiel
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
480 руб.
384 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 10 шт. — 360 руб.
от 50 шт. — 303 руб.
Кратность заказа 2 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
680 руб. 2-3 недели, 299 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 518 руб.
от 100 шт. — 448 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
IGBT Discretes, ON Semiconductor
Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT) for motor drive and other high current switching applications.

Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Длина
16.25мм
Transistor Configuration
Одиночный
Производитель
ON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальный непрерывный ток коллектора
100 A
Тип корпуса
TO-247
Максимальное рассеяние мощности
349 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Ширина
5.3мм
Высота
21.4мм
Число контактов
3
Размеры
16.25 x 5.3 x 21.4мм
Скорость переключения
1МГц
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Тип канала
N
Емкость затвора
3085пФ

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.