NGTG20N60L2TF1G, БТИЗ транзистор, 40 А, 1.45 В, 64 Вт, 600 В, TO-3PF, 3 вывод(-ов)

PartNumber: NGTG20N60L2TF1G
Ном. номер: 8050639457
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/2 NGTG20N60L2TF1G, БТИЗ транзистор, 40 А, 1.45 В, 64 Вт, 600 В, TO-3PF, 3 вывод(-ов)
Фото 2/2 NGTG20N60L2TF1G, БТИЗ транзистор, 40 А, 1.45 В, 64 Вт, 600 В, TO-3PF, 3 вывод(-ов)
Доступно на заказ 6 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
270 руб. × = 270 руб.

Описание

The NGTG20N60L2TF1G is a N-channel enhancement-mode IGBT for use with general purpose inverter and power factor correction of white goods appliance.

• High efficiency
• Easy to attach
• High reliability
• Adaption of full isolation type package

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\БТИЗ Одиночные

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
175 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер
600В
Стиль Корпуса Транзистора
TO-3PF
Рассеиваемая Мощность
64Вт
DC Ток Коллектора
40А
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)
1.45В

Дополнительная информация

Datasheet NGTG20N60L2TF1G
NGTG20N60L2TF1G N-Channel IGBT Data Sheet