NGTG50N60FWG, Транзистор IGBT 600V 100A 223W [TO-247]

Ном. номер: 9000250529
Артикул: NGTG50N60FWG
Производитель: ON Semiconductor
NGTG50N60FWG, Транзистор IGBT 600V 100A 223W [TO-247]
790 руб.
3 шт. со склада г.Москва,
срок 2-4 недели
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 790 руб.

The NGTG50N60FWG is an Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and Trench construction, provides superior performance in demanding switching applications, offering both low on state voltage and minimal switching loss.

• Optimized for very low collector-to-emitter saturation voltage
• Low switching loss
• Reduces system power dissipation
• 5µs Short-circuit capability

Технические параметры

Технология/семейство
Наличие встроенного диода
Максимальное напряжение КЭ ,В
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
Импульсный ток коллектора (Icm), А
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс
Рабочая температура (Tj), °C
Корпус
Вес, г
10.89

Дополнительная информация

Datasheet NGTG50N60FWG
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.