NJD35N04G

6 шт. со склада г.Москва, срок 8-9 дней
680 руб.
от 2 шт.570 руб.
от 5 шт.492 руб.
от 6 шт.472.50 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 680 руб.
Номенклатурный номер: 8002989407
Бренд: Нет торговой марки

Описание

Электроэлемент
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 350V; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:350V; Transition Frequency ft:90MHz; Power Dissipation Pd:45W; DC Collector Current:4A; DC Current Gain hFE:300hFE; Transistor Cas

Технические параметры

Brand ON Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO 700 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 350 V
Configuration Single
Continuous Collector Current 4 A
DC Collector/Base Gain hfe Min 2000 at 2 A at 2 V, 300 at 4 A at 2 V
Emitter- Base Voltage VEBO 5 V
Factory Pack Quantity 2500
Height 2.38 mm
Length 6.73 mm
Manufacturer ON Semiconductor
Maximum DC Collector Current 4 A
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -65 C
Mounting Style SMD/SMT
Package / Case TO-252-3(D-PAK)
Packaging Reel
Pd - Power Dissipation 45 W
Product Category Darlington Transistors
RoHS Details
Series NJD35N04
Transistor Polarity NPN
Width 6.22 mm
Вес, г 0.65

Техническая документация

Документация
pdf, 163 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.