NJD35N04G
6 шт. со склада г.Москва, срок 8-9 дней
680 руб.
от 2 шт. —
570 руб.
от 5 шт. —
492 руб.
от 6 шт. —
472.50 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 680 руб.
Номенклатурный номер: 8002989407
Бренд: Нет торговой марки
Описание
Электроэлемент
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 350V; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:350V; Transition Frequency ft:90MHz; Power Dissipation Pd:45W; DC Collector Current:4A; DC Current Gain hFE:300hFE; Transistor Cas
Технические параметры
Brand | ON Semiconductor |
Collector- Base Voltage VCBO | 700 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 350 V |
Configuration | Single |
Continuous Collector Current | 4 A |
DC Collector/Base Gain hfe Min | 2000 at 2 A at 2 V, 300 at 4 A at 2 V |
Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
Factory Pack Quantity | 2500 |
Height | 2.38 mm |
Length | 6.73 mm |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Maximum DC Collector Current | 4 A |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -65 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | TO-252-3(D-PAK) |
Packaging | Reel |
Pd - Power Dissipation | 45 W |
Product Category | Darlington Transistors |
RoHS | Details |
Series | NJD35N04 |
Transistor Polarity | NPN |
Width | 6.22 mm |
Вес, г | 0.65 |
Техническая документация
Документация
pdf, 163 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.