NJT4031NT1G, Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 3 А
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
48 руб.
Мин. кол-во для заказа 10 шт.
от 31 шт. —
42 руб.
от 61 шт. —
39 руб.
от 121 шт. —
37 руб.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 480 руб.
Описание
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 3 А
Технические параметры
Корпус | SOT-223 | |
Pd - рассеивание мощности | 2000 mW | |
Вид монтажа | SMD/SMT | |
Высота | 1.57 mm | |
Длина | 6.5 mm | |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT | |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 220 | |
Конфигурация | Single | |
Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A | |
Минимальная рабочая температура | 55 C | |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 40 V | |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V | |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V | |
Подкатегория | Transistors | |
Полярность транзистора | NPN | |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 215 MHz | |
Размер фабричной упаковки | 1000 | |
Серия | NJT4031N | |
Технология | Si | |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors | |
Торговая марка | ON Semiconductor | |
Упаковка / блок | SOT-223-4 | |
Ширина | 3.5 mm | |
Maximum Collector Base Voltage | 40 V dc | |
Maximum Collector Emitter Voltage | 40 V | |
Maximum DC Collector Current | 3 A | |
Maximum Emitter Base Voltage | 6 V | |
Maximum Operating Frequency | 1 MHz | |
Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
Maximum Power Dissipation | 2 W | |
Minimum DC Current Gain | 200 | |
Mounting Type | Surface Mount | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Package Type | SOT-223(SC-73) | |
Pin Count | 3+Tab | |
Transistor Configuration | Single | |
Transistor Type | NPN | |
Вес, г | 0.23 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов