Мой регион: Россия

NSS40301MZ4T1G, NPN Trans. Low Vce(sat) 4

PartNumber: NSS40301MZ4T1G
Ном. номер: 8000004476
Производитель: ON Semiconductor
NSS40301MZ4T1G, NPN Trans. Low Vce(sat) 4
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
22 руб.
1980 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 200 шт. — 14 руб.
Кратность заказа 20 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
48 руб. 3-4 недели, 1898 шт. 1 шт. 3 шт.
от 10 шт. — 39.30 руб.
от 25 шт. — 35.40 руб.
43 руб. 2-3 недели, 1095 шт. 5 шт. 5 шт.
от 25 шт. — 41 руб.
от 100 шт. — 23 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Semiconductors

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0,2 В пост. тока
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рабочая частота
1 МГц
Количество элементов на ИС
1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
1 В пост. тока
Длина
6.7мм
Transistor Configuration
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
40 В пост. тока
Производитель
ON Semiconductor
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
40 В
Тип корпуса
SOT-223
Максимальное рассеяние мощности
2 Вт
Тип монтажа
Surface Mount
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Ширина
3.7мм
Максимальный пост. ток коллектора
3 A
Тип транзистора
NPN
Высота
1.65мм
Число контактов
3 + Tab
Размеры
6.7 x 3.7 x 1.65мм
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
100

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.