NSS60200LT1G, NSS60200LG PNP Transistor, -2 A, -60 V, 3-Pin SOT-23
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
160 руб.
110 руб.
Кратность заказа 50 шт.
Добавить в корзину 50 шт.
на сумму 5 500 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Bipolar Transistors
Технические параметры
| Maximum Collector Base Voltage | -80 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 60 V |
| Maximum DC Collector Current | 2 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | -7 V |
| Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 540 mW |
| Minimum DC Current Gain | 150 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Type | PNP |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
NSS60200L-D
pdf, 86 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
