NSVBC846BM3T5G, SOT-723-3 Bipolar Transistors - BJT

NSVBC846BM3T5G, SOT-723-3 Bipolar Transistors - BJT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
41 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт.24 руб.
от 150 шт.19 руб.
от 500 шт.15.71 руб.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 205 руб.
Номенклатурный номер: 8017646412
Артикул: NSVBC846BM3T5G

Описание

Биполярные транзисторы - BJT SS XSTR NPN

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 265 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 200
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 450
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 80 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 65 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.6 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V
Непрерывный коллекторный ток 100 mA
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 100 MHz
Размер фабричной упаковки 8000
Серия BC846BM3
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка ON Semiconductor
Упаковка / блок SOT-723-3
Вес, г 0.02

Техническая документация

Datasheet NSVBC846BM3T5G
pdf, 158 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов