NSVBC856BM3T5G, SOT-723-3 Bipolar Transistors - BJT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
48 руб.
40 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
25 руб.
от 150 шт. —
21 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 200 руб.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Collector- Base Voltage VCBO: | -80 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | -65 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | -300 mV |
| Configuration: | Single |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 220 at-2 mA, -5 V |
| DC Current Gain hFE Max: | 475 at-2 mA, -5 V |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | -5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 8000 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 100 MHz |
| Manufacturer: | onsemi |
| Maximum DC Collector Current: | -100 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package/Case: | SOT-723-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 265 mW |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Series: | BC856 SERIES |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | PNP |
| Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 159 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
