Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › ON Semiconductor › NSVBC857CWT1G, Биполярный транзистор, PNP ...

NSVBC857CWT1G, Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 100 мА, 150 мВт, SOT-323, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

89 руб.

Мин. кол-во для заказа 30 шт.

Кратность заказа 5 шт.

от 100 шт. — 39 руб.

Добавить в корзину 30 шт. на сумму 2 670 руб.

Номенклатурный номер: 8003141317

Артикул: NSVBC857CWT1G

Бренд: ON Semiconductor***

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT

Биполярные транзисторы - BJT SS SC70 GP XSTR PNP 45V

Технические параметры

Collector Emitter Voltage Max	45В
Continuous Collector Current	100мА
DC Current Gain hFE Min	420hFE
DC Усиление Тока hFE	420hFE
Power Dissipation	150мВт
Квалификация	AEC-Q101
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	BC857
Максимальная Рабочая Температура	150 C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Полярность Транзистора	PNP
Стиль Корпуса Транзистора	SOT-323
Частота Перехода ft	100МГц
Pd - рассеивание мощности	150 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	420
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	800
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	45 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.9 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Непрерывный коллекторный ток	100 mA
Подкатегория	Transistors
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	100 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	BC856BWT1
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка / блок	SOT-323-3
Вес, г	0.4