Мой регион: Россия

NTA7002NT1G, МОП-транзистор, N Канал, 154 мА, 30 В, 1.4 Ом, 4.5 В, 1 В

Ном. номер: 8156181987
PartNumber: NTA7002NT1G
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/3 NTA7002NT1G, МОП-транзистор, N Канал, 154 мА, 30 В, 1.4 Ом, 4.5 В, 1 В
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 NTA7002NT1G, МОП-транзистор, N Канал, 154 мА, 30 В, 1.4 Ом, 4.5 В, 1 ВФото 3/3 NTA7002NT1G, МОП-транзистор, N Канал, 154 мА, 30 В, 1.4 Ом, 4.5 В, 1 В
26 руб.
19 руб.
6870 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 100 шт. — 7.90 руб.
Кратность заказа 10 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
6 руб. 4 дня, 8836 шт. 1 шт. 105 шт.
от 380 шт. — 4 руб.
от 759 шт. — 2.50 руб.
8 руб. 8 дней, 22150 шт. 50 шт. 50 шт.
от 1250 шт. — 3.90 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

The NTA7002NT1G is a N-channel Small Signal MOSFET offers 30V drain source voltage and 154mA continuous drain current. It is suitable for use in power management load switch, level shift, portable applications such as cell phones, media players, digital cameras, PDA's, video games and hand-held computers.

• Low gate charge for fast switching
• ESD protected gate
• -55 to 150°C Operating junction temperature range

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
Количество Выводов
Стиль Корпуса Транзистора
Рассеиваемая Мощность
Полярность Транзистора
Напряжение Истока-стока Vds
Непрерывный Ток Стока
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
Напряжение Измерения Rds(on)
Пороговое Напряжение Vgs
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
1.65mm
Transistor Configuration
Single
Brand
ON Semiconductor
Maximum Continuous Drain Current
150 mA
Package Type
SOT-416 (SC-75)
Maximum Power Dissipation
300 mW
Mounting Type
Surface Mount
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
0.9mm
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Height
0.8mm
Maximum Drain Source Resistance
7.5 Ω
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pin Count
3
Transistor Material
Si
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +10 V
Вес, г
0.032

Дополнительная информация

Datasheet NTA7002NT1G

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.