NTB190N65S3HF, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 650 В, 20 А, 0.161 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
730 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт. —
610 руб.
от 100 шт. —
511 руб.
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 2 920 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.161Ом |
Power Dissipation | 162Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | SUPERFET III FRFET |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 650В |
Непрерывный Ток Стока | 20А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 5В |
Рассеиваемая Мощность | 162Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.161Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet NTB190N65S3HF
pdf, 305 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов