NTB190N65S3HF, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 650 В, 20 А, 0.161 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

NTB190N65S3HF, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 650 В, 20 А, 0.161 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
730 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт.610 руб.
от 100 шт.511 руб.
Добавить в корзину 4 шт. на сумму 2 920 руб.
Номенклатурный номер: 8001881233
Артикул: NTB190N65S3HF

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Технические параметры

Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance 0.161Ом
Power Dissipation 162Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции SUPERFET III FRFET
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 650В
Непрерывный Ток Стока 20А
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность 162Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.161Ом
Стиль Корпуса Транзистора TO-263(D2PAK)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Вес, г 0.1

Техническая документация

Datasheet NTB190N65S3HF
pdf, 305 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов