Мой регион: Россия

NTD20P06LT4G, МОП-транзистор, P Канал, -15.5 А, -60 В, 0.143 Ом, -5 В, -1.5 В

Ном. номер: 8190961775
PartNumber: NTD20P06LT4G
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/6 NTD20P06LT4G, МОП-транзистор, P Канал, -15.5 А, -60 В, 0.143 Ом, -5 В, -1.5 В
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/6 NTD20P06LT4G, МОП-транзистор, P Канал, -15.5 А, -60 В, 0.143 Ом, -5 В, -1.5 ВФото 3/6 NTD20P06LT4G, МОП-транзистор, P Канал, -15.5 А, -60 В, 0.143 Ом, -5 В, -1.5 ВФото 4/6 NTD20P06LT4G, МОП-транзистор, P Канал, -15.5 А, -60 В, 0.143 Ом, -5 В, -1.5 ВФото 5/6 NTD20P06LT4G, МОП-транзистор, P Канал, -15.5 А, -60 В, 0.143 Ом, -5 В, -1.5 ВФото 6/6 NTD20P06LT4G, МОП-транзистор, P Канал, -15.5 А, -60 В, 0.143 Ом, -5 В, -1.5 В
71 руб.
1524 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 10 шт. — 59 руб.
от 100 шт. — 38 руб.
Кратность заказа 2 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
14 руб. По запросу 1 шт. 271 шт.
77 руб. 2-3 недели, 1767 шт. 3 шт. 3 шт.
от 12 шт. — 48 руб.
45 руб. 4 дня, 2133 шт. 1 шт. 14 шт.
от 53 шт. — 28 руб.
от 105 шт. — 25 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

The NTD20P06LT4G is a -60V Single P-channel Power MOSFET designed for bridge circuits, power supplies and power motor controls as well as DC-DC conversion. The MOSFET withstands high energy in avalanche and commutation modes.

• Low gate charge for fast switching
• AEC-Q101 qualified

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
Количество Выводов
Стиль Корпуса Транзистора
Рассеиваемая Мощность
Полярность Транзистора
Напряжение Истока-стока Vds
Непрерывный Ток Стока
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
Напряжение Измерения Rds(on)
Пороговое Напряжение Vgs
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
15,5 А
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Максимальное рассеяние мощности
65 W
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
6.22мм
Высота
2.38мм
Размеры
6.73 x 6.22 x 2.38мм
Материал транзистора
SI
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.73мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
11 ns
Производитель
ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения
28 ns
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
0,15 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
15 nC @ 5 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
740 пФ при 25 В
Тип канала
P
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Вес, г
0.462

Техническая документация

NTD20P06L-D
pdf, 150 КБ

Дополнительная информация

Datasheet NTD20P06LT4G

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.