NTD4808N-1G, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 30 В, 63 А, 0.0067 Ом, TO-251, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
230 руб.
Мин. кол-во для заказа 12 шт.
от 100 шт. —
144 руб.
Добавить в корзину 12 шт.
на сумму 2 760 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.0067Ом |
Power Dissipation | 54.6Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
Непрерывный Ток Стока | 63А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
Рассеиваемая Мощность | 54.6Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0067Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-251 |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Вес, г | 0.5 |
Техническая документация
Datasheet NTD4808N-1G
pdf, 116 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов