NTH027N65S3F-F155, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 650 В, 75 А, 0.023 Ом, TO-247, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 260 руб.
от 5 шт. —
3 910 руб.
от 10 шт. —
3 630 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 260 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
ON Semiconductor's 650V SuperFET III series provides the highest performance Super Junction MOSFETs specifically designed for highest power density.
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.023Ом |
| Power Dissipation | 595Вт |
| Квалификация | - |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | SuperFET III |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 650В |
| Непрерывный Ток Стока | 75А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 5В |
| Рассеиваемая Мощность | 595Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.023Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Brand: | onsemi |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |
| Fall Time: | 34 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 75 A |
| Manufacturer: | onsemi |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 595 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 259 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 23 mOhms |
| Rise Time: | 47 ns |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | SuperFET III |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 131 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 49 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Вес, г | 7 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 508 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
