Мой регион: Россия

NTMFS5C410NT1G, Power MOSFET N-Ch 40V 300

PartNumber: NTMFS5C410NT1G
Ном. номер: 8000001985
Производитель: ON Semiconductor
NTMFS5C410NT1G, Power MOSFET N-Ch 40V 300
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
330 руб.
1250 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 100 шт. — 190 руб.
от 500 шт. — 165 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
300 руб. 2-3 недели, 1382 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 221 руб.
от 100 шт. — 192 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
300 А
Тип корпуса
DFN
Максимальное рассеяние мощности
166 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
5.1мм
Прямая активная межэлектродная проводимость
190s
Высота
1.05мм
Размеры
6.1 x 5.1 x 1.05мм
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.1мм
Типичное время задержки включения
54 нс
Производитель
ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения
227 нс
Серия
NTMFS5C410N
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Максимальное сопротивление сток-исток
920 мкОм
Максимальное напряжение сток-исток
40 В
Число контактов
4+Tab
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
86 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
6100 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Прямое напряжение диода
1.2V

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.