Мой регион: Россия

NTMFS5C430NT1G, Power MOSFET N-Ch 40V 185

PartNumber: NTMFS5C430NT1G
Ном. номер: 8000001987
Производитель: ON Semiconductor
NTMFS5C430NT1G, Power MOSFET N-Ch 40V 185
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
170 руб.
3000 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
Кратность заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 850 руб.
N-Channel Power MOSFET, 40V, ON Semiconductor

Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
185 A
Тип корпуса
DFN
Максимальное рассеяние мощности
106 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
5.1мм
Прямая активная межэлектродная проводимость
130с
Высота
1.05мм
Размеры
6.1 x 5.1 x 1.05мм
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.1мм
Типичное время задержки включения
13 ns
Производитель
ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения
29 нс
Серия
NTMFS5C430N
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Максимальное сопротивление сток-исток
1,7 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
40 В
Число контактов
4+Tab
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
47 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
3300 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Прямое напряжение диода
1.2V

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.