Мой регион: Россия

NTMFS5H600NLT1G, Power MOSFET N-Ch 60V 250

PartNumber: NTMFS5H600NLT1G
Ном. номер: 8000001990
Производитель: ON Semiconductor
NTMFS5H600NLT1G, Power MOSFET N-Ch 60V 250
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
430 руб.
845 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 50 шт. — 240 руб.
от 125 шт. — 186 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
460 руб. 2-3 недели, 2399 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 345 руб.
от 100 шт. — 299 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
250 A
Тип корпуса
DFN
Максимальное рассеяние мощности
160 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
5.1мм
Прямая активная межэлектродная проводимость
280s
Высота
1.05мм
Размеры
6.1 x 5.1 x 1.05мм
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.1мм
Типичное время задержки включения
28 ns
Производитель
ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения
88 нс
Серия
NTMFS5H600NL
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Максимальное сопротивление сток-исток
1,7 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Число контактов
4+Tab
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
89 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
6680 пФ при 30 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Прямое напряжение диода
1.2V

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.