NTMS4177PR2G, 30V 6.6A 12mOhm@10V,11.4A 840mW 2.5V@250uA P Channel SOIC-8 MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

280 руб.

от 10 шт. — 160 руб.

от 30 шт. — 138 руб.

от 100 шт. — 115.65 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 280 руб.

Номенклатурный номер: 8017596241

Артикул: NTMS4177PR2G

Channel Mode	Enhancement
Channel Type	P
Maximum Continuous Drain Current	11.4 A
Maximum Drain Source Resistance	19 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	30 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	2.5V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	2.5 W
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOIC
Pin Count	8
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	29 nC @ 4.5 V
Width	4mm
Вес, г	0.21