Мой регион: Россия

NTMS4920NR2G

Ном. номер: 8181082989
PartNumber: NTMS4920NR2G
Производитель: ON Semiconductor
NTMS4920NR2G
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
62 руб.
2560 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 25 шт. — 56 руб.
от 100 шт. — 36 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
89 руб. 3-4 недели, 58 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 73.90 руб.
от 25 шт. — 66.50 руб.
51 руб. 2-3 недели, 760 шт. 20 шт. 40 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
17 А
Тип корпуса
SOIC
Максимальное рассеяние мощности
1455.5 mW
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
4мм
Высота
1.5мм
Размеры
5 x 4 x 1.5мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
5мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
15,3 нс
Производитель
ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения
68,6 нс
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Максимальное сопротивление сток-исток
4,3 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
30 V
Число контактов
8
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
26,3 нКл при 4,5 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
4068 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.