Добавить к сравнению Сравнить ()

NTMS4920NR2G, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 14.1 А, 0.0036 Ом, SOIC, Surface Mount

Ном. номер: 8181082989
PartNumber: NTMS4920NR2G
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/2 NTMS4920NR2G, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 14.1 А, 0.0036 Ом, SOIC, Surface Mount
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 NTMS4920NR2G, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 14.1 А, 0.0036 Ом, SOIC, Surface Mount
120 руб.
3 шт. со склада г.Москва,
срок 2-4 недели
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
79 руб. 8 дней, 440 шт. 20 шт. 20 шт.
49 руб. 3-5 недель, 6 шт. 1 шт. 3 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
N-Channel Power MOSFET, 30V, ON Semiconductor

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
Количество Выводов
Стиль Корпуса Транзистора
Рассеиваемая Мощность
Полярность Транзистора
Напряжение Истока-стока Vds
Непрерывный Ток Стока
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
Напряжение Измерения Rds(on)
Пороговое Напряжение Vgs
Transistor Mounting
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
5мм
Transistor Configuration
Одиночный
Brand
ON Semiconductor
Maximum Continuous Drain Current
17 A
Package Type
SOIC
Maximum Power Dissipation
1.46 W
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
4мм
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Height
1.5мм
Maximum Drain Source Resistance
4.3 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pin Count
8
Typical Gate Charge @ Vgs
26.3 nC @ 4.5 V
Transistor Material
Si
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Вес, г
0.1

Дополнительная информация

Datasheet NTMS4920NR2G

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.