NTP6412ANG, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 100 В, 58 А, 0.0168 Ом, TO-220, Through Hole

NTP6412ANG, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 100 В, 58 А, 0.0168 Ом, TO-220, Through Hole
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
400 руб.
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 10 шт.320 руб.
от 100 шт.274 руб.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 2 000 руб.
Номенклатурный номер: 8086024742
Артикул: NTP6412ANG
Страна происхождения: КИТАЙ
Бренд / Производитель: ON Semiconductor***

Технические параметры

EU RoHS Compliant with Exemption
ECCN (US) EAR99
Part Status Active
Product Category Power MOSFET
Configuration Single
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Number of Elements per Chip 1
Maximum Drain Source Voltage (V) 100
Maximum Gate Source Voltage (V) ±20
Maximum Continuous Drain Current (A) 58
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) 18.2@10V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) 73@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC) 73
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 2700@25V
Maximum Power Dissipation (mW) 167000
Typical Fall Time (ns) 126
Typical Rise Time (ns) 140
Typical Turn-Off Delay Time (ns) 70
Typical Turn-On Delay Time (ns) 16
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Maximum Operating Temperature (°C) 175
Packaging Tube
Automotive No
Pin Count 3
Supplier Package TO-220AB
Military No
Mounting Through Hole
Package Height 9.28(Max)
Package Length 10.53(Max)
Package Width 4.83(Max)
PCB changed 3
Tab Tab
Вес, г 3.17

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов