NTP6412ANG, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 100 В, 58 А, 0.0168 Ом, TO-220, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
520 руб.
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 10 шт. —
420 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 2 600 руб.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: | 50 |
| Id - Continuous Drain Current: | 58 A |
| Manufacturer: | onsemi |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 167 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 100 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 18.2 mOhms |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Вес, г | 3.17 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 284 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
