Мой регион: Россия

NTR4003NT1G

Ном. номер: 8181675249
PartNumber: NTR4003NT1G
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/2 NTR4003NT1G
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 NTR4003NT1G
20 руб.
74585 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 25 шт. — 19 руб.
от 100 шт. — 7.70 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
5 руб. 5 дней, 2250 шт. 1 шт. 153 шт.
от 356 шт. — 4 руб.
от 712 шт. — 2.90 руб.
2.10 руб. 3-4 недели, 129000 шт. 3000 шт. 3000 шт.
от 12000 шт. — 2 руб.
2.20 руб. 3-4 недели, 2449 шт. 1 шт. 50 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
N-Channel Power MOSFET, 30V, ON Semiconductor

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
1
Длина
3.04мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
16,7 нс
Производитель
ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения
65,1 нс
Максимальный непрерывный ток стока
560 мА
Тип корпуса
SOT-23
Максимальное рассеяние мощности
690 мВт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Ширина
1.4мм
Maximum Gate Threshold Voltage
1.4V
Высота
1.01мм
Максимальное сопротивление сток-исток
2 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
30 V
Число контактов
3
Размеры
3.04 x 1.4 x 1.01мм
Типичный заряд затвора при Vgs
1,15 нКл при 5 В
Материал транзистора
Кремний
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
21 пФ при 5 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В

Дополнительная информация

Datasheet NTR4003NT1G

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.