Мой регион: Россия

NTR5198NLT1G, МОП-транзистор, N Канал, 2.2 А, 60 В, 0.107 Ом, 10 В, 2.5 В

Ном. номер: 8157188828
PartNumber: NTR5198NLT1G
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/3 NTR5198NLT1G, МОП-транзистор, N Канал, 2.2 А, 60 В, 0.107 Ом, 10 В, 2.5 В
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 NTR5198NLT1G, МОП-транзистор, N Канал, 2.2 А, 60 В, 0.107 Ом, 10 В, 2.5 ВФото 3/3 NTR5198NLT1G, МОП-транзистор, N Канал, 2.2 А, 60 В, 0.107 Ом, 10 В, 2.5 В
37 руб.
11172 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 12 шт. — 26 руб.
от 102 шт. — 12 руб.
Кратность заказа 3 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
35 руб. 8 дней, 1025 шт. 25 шт. 25 шт.
от 50 шт. — 20 руб.
от 125 шт. — 13 руб.
27.10 руб. 3-4 недели, 2860 шт. 1 шт. 10 шт.
от 25 шт. — 26.80 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

The NTR5198NLT1G is a N-channel Power MOSFET offers 60V drain source voltage and 2.2A continuous drain current. It has low RDS (ON) for low conduction losses and improved efficiency.

• Small footprint surface-mount package
• Halogen-free
• -55 to 150°C Operating junction temperature range

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
Количество Выводов
Стиль Корпуса Транзистора
Рассеиваемая Мощность
Полярность Транзистора
Напряжение Истока-стока Vds
Непрерывный Ток Стока
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
Напряжение Измерения Rds(on)
Пороговое Напряжение Vgs
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
3.04mm
Transistor Configuration
Одинарный
Brand
ON Semiconductor
Maximum Continuous Drain Current
2.2 A
Package Type
SOT-23
Maximum Power Dissipation
900 mW
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
1.4мм
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Height
1.01mm
Maximum Drain Source Resistance
155 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
60 В
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
5.1 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Вес, г
0.454

Дополнительная информация

Datasheet NTR5198NLT1G
Datasheet NTR5198NLT1G

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.