Мой регион: Россия

NVD5890NLT4G, NFET DPAK 40V 123A 3.7MOH

Ном. номер: 8000004807
PartNumber: NVD5890NLT4G
Производитель: ON Semiconductor
NVD5890NLT4G, NFET DPAK 40V 123A 3.7MOH
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
81 руб.
7410 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
Кратность заказа 10 шт.
Добавить в корзину 10 шт. на сумму 810 руб.
В кредит от 0 руб./мес

Semiconductors

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
123 A
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Максимальное рассеяние мощности
107 Вт
Тип монтажа
Surface Mount
Ширина
6.22мм
Высота
2.38мм
Размеры
6.73 x 6.22 x 2.38мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.73мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
12 нс
Производитель
ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения
38 нс
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Максимальное сопротивление сток-исток
5,5 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
40 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
84 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
4760 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.