NX7002BKR, Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
141000 шт., срок 7-9 недель
6 руб.
Мин. кол-во для заказа 9000 шт.
Кратность заказа 3000 шт.
от 39000 шт. —
5 руб.
Добавить в корзину 9000 шт.
на сумму 54 000 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Logic- and Standard Level MOSFETs in a variety of packages, Sample our robust and easy-to-use MOSFETs in the 40 V to 60 V range, part of our massive MOSFET device portfolio.
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 270 mA |
Maximum Drain Source Resistance | 2.8 Ω |
Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
Maximum Gate Source Voltage | 20 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 2.1V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 1670 mW |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1.1V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-23 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Typical Gate Charge @ Vgs | 1 nC @ 10 V |
Width | 1.4mm |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet NX7002BKR
pdf, 727 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.