NXH80B120H2Q0SG, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Half Bridge Inverter, 40 А, 2.2 В, 103 Вт, 150 °C, PIM

NXH80B120H2Q0SG, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Half Bridge Inverter, 40 А, 2.2 В, 103 Вт, 150 °C, PIM
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
22 шт., срок 8-10 недель
4 970 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
Добавить в корзину 4 шт. на сумму 19 880 руб.
Номенклатурный номер: 8000247148
Артикул: NXH80B120H2Q0SG
Страна происхождения: КИТАЙ
Бренд / Производитель: ON SEMICONDUCTOR CORPORATION

Описание

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PIM 1200V 40A DU BST SiC DIODE

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 103 W
Вид монтажа Press Fit
Категория продукта Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
Конфигурация Dual
Максимальная рабочая температура + 125 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Минимальная рабочая температура 40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.2 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 40 A
Подкатегория IGBTs
Продукт IGBT Silicon Carbide Modules
Размер фабричной упаковки 24
Технология SiC
Тип продукта IGBT Modules
Ток утечки затвор-эмиттер 200 nA
Торговая марка ON Semiconductor
Упаковка Tray
Упаковка / блок Q0BOOST
Вес, г 0.1

Техническая документация

Datasheet NXH80B120H2Q0SG
pdf, 323 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах