PBHV8215Z, Transistor, NXP, PBHV8215

PartNumber: PBHV8215Z
Ном. номер: 8147675583
Производитель: NXP Semiconductor
Фото 1/2 PBHV8215Z, Transistor, NXP, PBHV8215
Фото 2/2 PBHV8215Z, Transistor, NXP, PBHV8215
Доступно на заказ более 100 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 4-5 недель.
49 руб. × = 980 руб.
Количество товаров должно быть кратно 20 шт.
от 40 шт. — 42 руб.
от 100 шт. — 25 руб.

Описание

Low Saturation Voltage NPN Transistors, NXP
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage NPN Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.

Bipolar Transistors, NXP Semiconductors

Bipolar Transistors Cam & Groove Couplings - Polypropylene

Semiconductors

Технические параметры

Размеры
6.7 x 3.7 x 1.8мм
Максимальное напряжение коллектор-база
350 V
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
150 V
Максимальный пост. ток коллектора
-2 A
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 V
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
1.45 Вт
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
SOT-223
Число контактов
4
Ширина
3.7mm
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
1.2 V
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
280 мВ
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
100
Тип транзистора
NPN
Высота
1.8mm
Длина
6.7mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

Datasheet PBHV8215Z
PBHV8215Z BISS Transistor Data Sheet