Мой регион: Россия

PBSS304NX, Trans GP BJT NPN 60V 4.7A

PartNumber: PBSS304NX
Ном. номер: 8000003115
Производитель: NXP Semiconductor
PBSS304NX, Trans GP BJT NPN 60V 4.7A
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
41 руб.
8620 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 40 шт. — 31 руб.
от 100 шт. — 26 руб.
Кратность заказа 20 шт.
Добавить в корзину 20 шт. на сумму 820 руб.

Semiconductors

Технические параметры

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0,29 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рабочая частота
130 МГц
Количество элементов на ИС
1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
1.05 V
Длина
4.6мм
Transistor Configuration
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
60 В
Производитель
Nexperia
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
60 В
Тип корпуса
UPAK
Максимальное рассеяние мощности
2.1 W
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
2.6мм
Максимальный пост. ток коллектора
4.7 A
Тип транзистора
NPN
Высота
1.6мм
Число контактов
4
Размеры
1.6 x 4.6 x 2.6мм
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
75

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.