PBSS4120T,215, Биполярный транзистор, NPN, 20 В, 1 А
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3024 шт. со склада г.Москва, срок 2 недели
15 руб.
Мин. кол-во для заказа 31 шт.
от 159 шт. —
12 руб.
от 317 шт. —
11 руб.
от 633 шт. —
9.10 руб.
Добавить в корзину 31 шт.
на сумму 465 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
Биполярный транзистор, NPN, 20 В, 1 А
Технические параметры
Корпус | SOT-23(TO-236AB) | |
Collector-Emitter Breakdown Voltage | 20V | |
Maximum DC Collector Current | 1A | |
Pd - Power Dissipation | 480mW | |
Transistor Type | NPN | |
Maximum Collector Base Voltage | 30 V | |
Maximum Collector Emitter Voltage | 20 V | |
Maximum Emitter Base Voltage | 5 V | |
Maximum Operating Frequency | 100 MHz | |
Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
Maximum Power Dissipation | 480 mW | |
Minimum DC Current Gain | 350 | |
Mounting Type | Surface Mount | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Package Type | SOT-23(TO-236AB) | |
Pin Count | 3 | |
Transistor Configuration | Single | |
Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet PBSS4120T,215
pdf, 49 КБ
Datasheet PBSS4120T,215
pdf, 455 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.