Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › NXP › PBSS4140T.215

PBSS4140T.215

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

6 руб.

Мин. кол-во для заказа 651 шт.

от 1500 шт. — 4.60 руб.

от 6300 шт. — 4.04 руб.

Добавить в корзину 651 шт. на сумму 3 906 руб.

Альтернативные предложения4

Номенклатурный номер: 8008723145

Бренд: NXP Semiconductor

Описание

Транзисторы и сборки биполярные

Описание Транзистор биполярный TO236

Технические параметры

Корпус	to236
кол-во в упаковке	1
Pd - рассеивание мощности	450 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1 mm
Длина	3 mm
Другие названия товара №	934056515215
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация	AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	300 at 1 mA, 5 V, 300 at 500 mA, 5 V, 200 at 1 A
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	300 at 1 mA, 5 V
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	1 A
Минимальная рабочая температура	65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	40 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	40 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	150 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Nexperia
Упаковка / блок	SOT-23-3
Ширина	1.4 mm
Collector-Emitter Breakdown Voltage	40V
Maximum DC Collector Current	1A
Pd - Power Dissipation	450mW
Transistor Type	NPN
Maximum Collector Base Voltage	40 V
Maximum Collector Emitter Voltage	40 V
Maximum Emitter Base Voltage	5 V
Maximum Operating Frequency	150 MHz
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	450 mW
Minimum DC Current Gain	300
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-23(TO-236AB)
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Вес, г	0.008