PBSS5130QA, Биполярный транзистор, AEC-Q101, PNP, -30 В, 170 МГц, 325 мВт, -1 А, 130 hFE

PartNumber: PBSS5130QA
Ном. номер: 8035958469
Производитель: Nexperia
PBSS5130QA, Биполярный транзистор, AEC-Q101, PNP, -30 В, 170 МГц, 325 мВт, -1 А, 130 hFE
Доступно на заказ 3705 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
17 руб. × = 85 руб.
Количество товаров должно быть кратно 5 шт.
от 25 шт. — 14 руб.
от 100 шт. — 13 руб.

Описание

The PBSS5130QA is a 1A PNP breakthrough-in small signal (BISS) Transistor in a leadless ultra-small surface-mount plastic package with visible and solderable side pads.

• Very low collector-emitter saturation voltage VCEsat
• High collector current capability IC and ICM
• High collector current gain (hFE) at high IC
• High energy efficiency due to less heat generation
• Reduced printed-circuit board (PCB) area requirements
• AEC-Q101 qualified
• NPN complement is PBSS4130QA
• 00 10 10 Marking code

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Стандарты Автомобильной Промышленности
AEC-Q101
Напряжение Коллектор-Эмиттер
-30В
Стиль Корпуса Транзистора
DFN1010D
Рассеиваемая Мощность
325мВт
Полярность Транзистора
PNP
DC Ток Коллектора
-1А
DC Усиление Тока hFE
130hFE
Частота Перехода ft
170МГц

Дополнительная информация

Datasheet PBSS5130QA