PBSS5160T, Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 220 МГц, 270 мВт, 1 А, 350 hFE

PartNumber: PBSS5160T
Ном. номер: 8087491653
Производитель: Nexperia
PBSS5160T, Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 220 МГц, 270 мВт, 1 А, 350 hFE
Доступно на заказ 2375 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
14 руб. × = 70 руб.
Количество товаров должно быть кратно 5 шт.
от 90 шт. — 13 руб.
от 250 шт. — 11 руб.

Описание

The PBSS5160T is a 1A PNP breakthrough-in small signal (BISS) Transistor in a small surface-mount plastic package.

• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
• High collector current capability IC and ICM
• High efficiency due to less heat generation
• Reduces printed-circuit board (PCB) area required
• NPN complement is PBSS4160T
• U6 Marking code

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
150°C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Напряжение Коллектор-Эмиттер
60В
Стиль Корпуса Транзистора
SOT-23
Рассеиваемая Мощность
270мВт
Полярность Транзистора
PNP
DC Ток Коллектора
DC Усиление Тока hFE
350hFE
Частота Перехода ft
220МГц

Дополнительная информация

Datasheet PBSS5160T