PBSS5350X, PNP transistor 3A SOT89,P

PartNumber: PBSS5350X
Ном. номер: 8026309062
Производитель: NXP Semiconductor
PBSS5350X, PNP transistor 3A SOT89,P
Доступно на заказ более 100 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 4-5 недель.
46 руб. × = 460 руб.
Количество товаров должно быть кратно 10 шт.
от 20 шт. — 32 руб.
от 50 шт. — 19.20 руб.

Описание

Low Saturation Voltage PNP Transistors, NXP
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage PNP Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.

Bipolar Transistors, NXP Semiconductors

Bipolar Transistors

Semiconductors

Технические параметры

конфигурация
Single
размеры
1.6 x 4.6 x 2.6mm
высота
1.6mm
длина
4.6mm
Maximum Collector Base Voltage
50 V
Maximum Collector Emitter Voltage
50 V
Maximum DC Collector Current
3 A
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Maximum Operating Frequency
100 MHz
максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
1.6 W
Minimum Operating Temperature
-65 °C
тип монтажа
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
UPAK
Pin Count
4
ширина
2.6mm
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
1.2 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
0.39 V
Minimum DC Current Gain
80
Transistor Type
PNP

Дополнительная информация

PBSS5350X 50 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Data Sheet PBSS5350X